試料中に存在する不対電子を、大気圧プラズマ照射化でリアルタイムに計測が可能。ラジカルのみ照射など、多様なプロセス条件を実現可能。ガス分析にも対応可。

Cold FE SEM、セミインレンズ型二次電子検出器、反射電子検出器、EDS、 EBSD

包埋をせず、手研磨よりもおよそ100倍の速度で観察試料の断面出しが可能です。
試料ホルダの自重を軽減でき、デリケートな研磨が可能。

試料を-30℃以下に冷却しながら断面切削することにより、はんだ、樹脂等の熱ダメージに弱い材料においても、低ダメージに断面観察試料を作製することが可能。

液体試料中のイオン成分を検出することが可能。

マルチプレックスCARSといわれる複数の振動モードを共鳴的に励起させることで生細胞イメージングが可能。

真空保持搬送システムを併用することでプラズマ処理表面を大気汚染の影響を受けず表面観察することが可能。

in-situ 赤外吸収分光法、in-situ 分光エリプソメトリー、小型ラジカル密度計測システム、基板温度計測システムを備えており、製膜中のプラズマ診断や膜質のその場評価が可能。
所望の材料特性・形状を得るために試行錯誤的な研究開発ではなく、反応を定量的にリアルタイムで診断することで研究開発を加速。

仕様
プロセスガスH2, N2, Ar, O2, He, CF4, C4F8, SF6 基板温度－10℃-60℃ サンプル最大4インチ

有機膜のナノトレンチ加工の例

Cl2あるいはBCl3ベースのプラズマエッチングにおいて、高温でのエッチングプロセスが可能。

磁気中性線プラズマ（NLD）による低圧・低電子温度・高密度プラズマのドライエッチングが可能。

プラズマを用いて原子層での膜堆積を行う。また、製膜中の膜質をその場・in-situ FTIRで評価することが可能です。

ラジカル注入によるラジカル制御プラズマCVDであり、種々のカーボン材料の薄膜堆積が可能。

プラズマ内のイオン種、ラジカル種等の検出が可能。

大気圧プラズマの質量分析が可能。

マイクロプラズマ光源を用いた原子状ラジカル（水素H、窒素N、酸素O、フッ素F）絶対密度計測システム。空間分布計測も可能。

材料の表面を大気圧プラズマを用いて処理することで、接合前処理剤（プライマー）等を利用すること無く、異種材料間の良好な接合が可能。

大気圧プラズマ処理中の表面変化の観察が可能。

空気の流れや物体内部の密度分布の可視化が可能。